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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6213E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-213AA, Metal |
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| 2N6214 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 400V 2A 3-Pin(2+Tab) TO-66 |
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| 2N6215 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, 3 |
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| 2N6216 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6216 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6216 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6217 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6217 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6217 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6218 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92VAR |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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