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2N6217

更新时间： 2024-11-29 05:56:39

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	43K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6217 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors

2N6216 2N6217

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High current ,high power dissipation

APPLICATIONS

·For use in switching and linear

power applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

200

180

150

140

UNIT

2N6216

2N6217

2N6216

2N6217

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

P_D

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=100℃

℃

150

-65~200

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

Thermal resistance junction to case

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

1.46

℃/W

JMnic

12 3

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