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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.74 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 6 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6226E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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| 2N6227 | SEME-LAB |
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Bipolar PNP Device |
|
| 2N6227 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| 2N6227 | NJSEMI |
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6 AMPERE POWER TRANSISTORS |
|
| 2N6227 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2N6227 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2N6227 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2N6227E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 120V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
|
| 2N6228 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2N6228 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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