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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.82 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 基于收集器的最大容量： | 600 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 120 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 5 | JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 1 MHz |
| VCEsat-Max： | 2 V |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N6230E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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| 2N6230LEADFREE | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2N6231 | JMNIC | Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N6231 | SAVANTIC | Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N6231 | NJSEMI | Trans GP BJT PNP 140V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| 2N6231 | CENTRAL | SILICON POWER TRANSISTOR |
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