生命周期: | Active | 包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.82 |
最大集电极电流 (IC): | 10 A | 基于收集器的最大容量: | 600 pF |
集电极-发射极最大电压: | 120 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 5 | JEDEC-95代码: | TO-3 |
JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 200 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | PNP | 最大功率耗散 (Abs): | 150 W |
表面贴装: | NO | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 1 MHz |
VCEsat-Max: | 2 V |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N6230E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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2N6230LEADFREE | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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2N6231 | JMNIC | Silicon PNP Power Transistors |
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2N6231 | SAVANTIC | Silicon PNP Power Transistors |
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2N6231 | NJSEMI | Trans GP BJT PNP 140V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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2N6231 | CENTRAL | SILICON POWER TRANSISTOR |
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