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2N6229

更新时间： 2024-09-26 06:18:27

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	117K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2N6229 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.55
Base Number Matches：	1

2N6229 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2N6229 2N6230 2N6231

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Low collector saturation voltage

·Excellent safe operating area

APPLICATIONS

·For high power audio; disk head

positioners and other linear applications.

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-100

-120

-140

-100

-120

-140

-7

UNIT

2N6229

2N6230

2N6231

2N6229

2N6230

2N6231

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

Open collector

T_C=25℃

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

-10

P_D

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

℃

150

T_stg

-65~200

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

0.875

℃/W

12 3

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