5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.57 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 50 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 | JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6227 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device |
|
| 2N6227 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| 2N6227 | NJSEMI |
获取价格 |
6 AMPERE POWER TRANSISTORS |
|
| 2N6227 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2N6227 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2N6227 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2N6227E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 120V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
|
| 2N6228 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2N6228 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2N6228 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
