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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.7 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 6 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6229LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2N6229PBFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, |
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| 2N6229TIN/LEAD | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
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| 2N6230 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N6230 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N6230 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N6230 | CENTRAL |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTOR |
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| 2N6230 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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| 2N6230 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 120V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
|
| 2N6230E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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