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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.72 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 140 V |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 | JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6231LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2N6231PBFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, |
|
| 2N6232 | MICROSEMI |
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SILICON NPN TRANSISTOR |
|
| 2N6232 | VISHAY |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AA, Meta |
|
| 2N6233 | MOTOROLA |
获取价格 |
4 AMPERE POWER TRANSISTOR PNP SILICON |
|
| 2N6233 | NJSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE NPN SILICON TRANSISTORS |
|
| 2N6233 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 |
|
| 2N6234 | NJSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE NPN SILICON TRANSISTORS |
|
| 2N6234 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package. |
|
| 2N6235 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package |
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