2N6216

更新时间： 2024-11-29 06:17:39

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	117K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6216 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2N6216 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6216 2N6217

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High current ,high power dissipation

APPLICATIONS

·For use in switching and linear

power applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

200

UNIT

2N6216

2N6217

2N6216

2N6217

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

180

150

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

140

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

P_D

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=100℃

℃

150

-65~200

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

1.46

℃/W

12 3

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