是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-66 |
包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.16 |
最大集电极电流 (IC): | 2 A | 基于收集器的最大容量: | 220 pF |
集电极-发射极最大电压: | 350 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 10 | 最大降落时间(tf): | 600 ns |
JEDEC-95代码: | TO-66 | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 200 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | PNP |
最大功率耗散 (Abs): | 35 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大上升时间(tr): | 600 ns | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 20 MHz |
最大关闭时间(toff): | 3100 ns | VCEsat-Max: | 2 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
JANTXV2N5660 | MICROSEMI |
功能相似 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR | |
JANTX2N5660 | MICROSEMI |
功能相似 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR | |
JAN2N5660 | MICROSEMI |
功能相似 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N6213E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-213AA, Metal | |
2N6214 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 400V 2A 3-Pin(2+Tab) TO-66 | |
2N6215 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, 3 | |
2N6216 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors | |
2N6216 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors | |
2N6216 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors | |
2N6217 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors | |
2N6217 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors | |
2N6217 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors | |
2N6218 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92VAR |