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2N6037

更新时间： 2024-02-02 02:56:38

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	124K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6037 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.67
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	25 MHz
Base Number Matches：	1

2N6037 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6037 2N6038 2N6039

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

2N6037

2N6038

2N6039

Collector-emitter

sustaining voltage

V_CEO(SUS)

I_C=0.1A ;I_B=0

V_CEsat-1

V_CEsat-2

V_BEsat

V_BE

Collector-emitter saturation voltage I_C=2A; I_B=8mA

Collector-emitter saturation voltage I_C=4A; I_B=40mA

2.0

3.0

4.0

2.8

0.1

Base-emitter saturation voltage

Base-emitter on voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

I_C=4A; I_B=40mA

I_C=2A ; V_CE=3V

I_CEO

V_CE=Rated V_CEO; I_B=0

V_CE=Rated V_CEO; V_BE(off)=1.5V

0.1

0.5

I_CEX

T_C=125℃

I_CBO

V_CB=Rated V_CBO; I_E=0

0.1

2.0

I_EBO

V_EB=5V; I_C=0

h_FE-1

h_FE-2

h_FE-3

C_OB

I_C=0.5A ; V_CE=3V

I_C=2A ; V_CE=3V

500

750

100

DC current gain

15000

100

DC current gain

I_C=4A ; V_CE=3V

Output capacitance

I_E=0;V_CB=10V;f=0.1MHz

123

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2N6038	ONSEMI	获取价格	Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors
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