2N5682

更新时间： 2024-01-18 03:27:30

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体放大器小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	58K
描述
NPN POWER TRANSISTOR SILICON AMPLIFIER

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N5682 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-39
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.18
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-39	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN (315)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

2N5682 数据手册

2N5681, 2N5682 JAN SERIES

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (con’t)

Characteristics

ON CHARACTERISTICS ⁽³⁾

Forward Current Transfer Ratio

I_C= 250 mAdc, V_CE= 2.0 Vdc

I_C= 500 mAdc, V_CE= 2.0 Vdc

I_C= 1.0 Adc, V_CE= 2.0 Vdc

Symbol

Min.

Max.

Unit

150

h_FE

Collector-Emitter Saturation Voltage

I_C= 250 mAdc, I_B= 25 mAdc

I_C= 500 mAdc, I_B= 50 mAdc

Base-Emitter Saturation Voltage

I_C= 250 mAdc, I_B= 25 mAdc

I_C= 500 mAdc, I_B= 50 mAdc

0.6

1.0

V_CE(sat)

Vdc

1.1

1.3

V_BE(sat)

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Magnitude of Common Emitter Small-Signal

Short Circuit Forward-Current Transfer Ratio

I_C= 0.1 Adc, V_CE= 10 Vdc, f = 10 kHz

Small Signal Short Circuit Forward-Current

Transfer Ratio

3.0

½h_fe½

h_fe

I_C= 0.2 Adc, V_CE= 1.5 Vdc, f = 1.0 kHz

Output Capacitance

V_CB= 20 Vdc, I_E= 0, f = 1 MHz

C_obo

SAFE OPERATING AREA

DC Tests

T_C= +25⁰C, 1 Cycle, t ³ 0.5 s

Test 1

V_CE= 2 Vdc, I_C= 1.0 Adc

Test 2

V_CE= 10 Vdc, I_C= 1.0 Adc

Test 3

V_CE= 90 Vdc, I_C= 50 mAdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

Page 2 of 2

中文翻译

下载PDF

2N5682 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N5682	MICROSEMI	当前型号	NPN POWER TRANSISTOR SILICON AMPLIFIER
2N5682LEADFREE	CENTRAL	功能相似	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, T

与2N5682相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N5682LEADFREE	CENTRAL	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, T	获取价格
2N5682NPN	CDIL	PNP/NPN HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTORS	获取价格
2N5683	MOSPEC	POWER TRANSISTORS(50A,300W)	获取价格
2N5683	MICROSEMI	NPN POWER SILICON TRANSISTOR	获取价格
2N5683	NJSEMI	BJTS, SI PNP POWER	获取价格
2N5683	ASI	Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 2 Pin, MODIFIED TO-3,	获取价格
2N5683E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2	获取价格
2N5684	MICROSEMI	NPN POWER SILICON TRANSISTOR	获取价格
2N5684	ONSEMI	High-Current Complementary Silicon Power Transistors	获取价格
2N5684	NJSEMI	HIGH-CURRENT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS	获取价格
2N5684	MOSPEC	POWER TRANSISTORS(50A,300W)	获取价格
2N5684/D	ETC	High-Current Complementary Silicon Power Transistors	获取价格
2N5684_06	ONSEMI	High−Current Complementary Silicon Power Transistors	获取价格
2N5684G	ONSEMI	High-Current Complementary Silicon Power Transistors	获取价格
2N5685	NJSEMI	HIGH-CURRENT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS	获取价格
2N5685	MOSPEC	POWER TRANSISTORS(50A,300W)	获取价格
2N5685	MICROSEMI	NPN POWER SILICON TRANSISTOR	获取价格
2N5685_1	MICROSEMI	NPN POWER SILICON TRANSISTOR	获取价格
2N5685E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal	获取价格
2N5686	MICROSEMI	NPN POWER SILICON TRANSISTOR	获取价格

与2N5682相关文章

热敏电阻型号命名规则的深度解析
2024-06-04

5
晶闸管控制角与电压关系专业性解答
2024-06-04

3
平面型VDMOS与超结型VDMOS的雪崩耐量差异及选择指南
2024-06-04

2
快速解读数据手册：HT7533引脚图说明、参数分析、技术特点
2024-06-04

2

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2N5682

2N5682 技术参数

2N5682 数据手册

2N5682 替代型号

与2N5682相关器件

与2N5682相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2N5682

2N5682 技术参数

2N5682 数据手册

2N5682 替代型号

与2N5682相关器件

与2N5682相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？