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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-59 |
| 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.46 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| JEDEC-95代码： | TO-59 | JESD-30 代码： | O-MUPM-X3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5659 | VISHAY |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, |
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| 2N5659E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, |
|
| 2N5660 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N5660 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5660 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 |
|
| 2N5660 | NJSEMI |
获取价格 |
NPN SWITCHING TRANSISTORS |
|
| 2N5660 | SEMICOA |
获取价格 |
Silicon NPN Transistor |
|
| 2N5660 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N5660E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-213AA, Metal |
|
| 2N5661 | SEMICOA |
获取价格 |
Silicon NPN Transistor |
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