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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-66 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.15 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 300 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 |
| JEDEC-95代码： | TO-213AA | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 20 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV2N5661 | MICROSEMI |
功能相似  |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JANTX2N5661 | MICROSEMI |
功能相似 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N5661 | MICROSEMI |
功能相似 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5661E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-213AA, Metal |
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| 2N5662 | SEME-LAB |
获取价格 |
NPN BIPOLAR POWER SWITCHING |
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| 2N5662 | NJSEMI |
获取价格 |
NPN SWITCHING TRANSISTORS |
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| 2N5662 | SEMICOA |
获取价格 |
Silicon NPN Transistor |
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| 2N5662 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 2N5662 |
获取价格 |
NPN Bipolar Power Switching Transistor |
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| 2N5663 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 2N5663 | SEMICOA |
获取价格 |
Silicon NPN Transistor |
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| 2N5663 | NJSEMI |
获取价格 |
NPN SWITCHING TRANSISTORS |
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| 2N5663 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
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