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2N5663

更新时间： 2024-11-02 03:56:19

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SEMICOA		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	203K
描述
Silicon NPN Transistor

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2N5663 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TO-5
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.27
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	300 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	5	JEDEC-95代码：	TO-5
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

2N5663 数据手册

2N5663

Silicon NPN Transistor

Data Sheet

Description

Applications

• General purpose

• Power Transistor

• NPN silicon transistor

Semicoa Semiconductors offers:

• Screening and processing per MIL-PRF-19500 Appendix E

• JAN level (2N5663J)

• JANTX level (2N5663JX)

• JANTXV level (2N5663JV)

• QCI to the applicable level

• 100% die visual inspection per MIL-STD-750 method

2072 for JANTXV

• Radiation testing (total dose) upon request

Features

• Hermetically sealed TO-5 metal can

• Also available in chip configuration

• Chip geometry 1031

• Reference document:

MIL-PRF-19500/454

Benefits

Please contact Semicoa for special configurations

• Qualification Levels: JAN, JANTX, and

JANTXV

www.SEMICOA.com or (714) 979-1900

• Radiation testing available

Absolute Maximum Ratings

T_C= 25°C unless otherwise specified

Parameter

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Symbol

V_CEO

V_CBO

Rating

300

400

Unit

Volts

Emitter-Base Voltage

V_EBO

I_C

Collector Current, Continuous

Power Dissipation, T_A= 25°C

Derate linearly above 25°C

Power Dissipation, T_C= 25°C

Derate linearly above 100°C

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

P_T

5.7

mW/°C

P_T

150

mW/°C

T_J

°C

-65 to +200

T_STG

Semicoa Semiconductors, Inc.

Rev. D

333 McCormick Avenue, Costa Mesa, California 92626 714.979.1900, FAX 714.557.4541

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