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2N5666

更新时间： 2024-02-21 20:21:57

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描述
Chip Type 2C5664 Geometry 9221 Polarity NPN

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2N5666 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	HERMETICALLY SEALED, CERAMIC, SMD1, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.68
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	200 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-276AB	JESD-30 代码：	R-CBCC-N3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

2N5666 数据手册

Data Sheet No. 2C5664

Ge ne ric Pa c ka ge d Pa rts :

2N5664, 2N5666

Chip Type 2C5664

Geometry 9221

Polarity NPN

Chip type 2C5664 by Semicoa Semi-

conductors provides performance

similar to these devices.

Product Summary:

APPLICATIONS: Designed for high volt-

age, high speed switching and power

amplifier applications.

Part Numbers:

2N5664, 2N5666

Features:

High voltage ratings

Mechanical Specifications

Top

Backside

Emitter

Base

Al - 37.5 kÅ min.

Metallization

Au - 6.5 kÅ nom.

12 mils x 40 mils

12 mils x 30 mils

Bonding Pad Size

8 mils nominal

Die Thickness

Chip Area

100 mils x 100 mils

Silox Passivated

Top Surface

Electrical Characteristics

T_A= 25^oC

Parameter

Test conditions

I_C= 10 mA, R = 100 ohms

Min

250

6.0

---

Max

---

Unit

V dc

µA

BV_CER

BV_EBO

I_CES

IE = 10 µA

---

V_CE= 200 V, I_E= 0

0.2

---

µA

h_FE

I_C= 500 mA dc, V_CE= 2.0 V

---

h_FE

I_C= 1.0 A dc, V_CE= 5.0 V

---

Due to limitations of probe testing, only dc parameters are tested. This must be done with pulse width less

than 300 µs, duty cycle less than 2%.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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