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2N5668RLRA

更新时间: 2024-02-26 09:42:00
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摩托罗拉 - MOTOROLA 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 47K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-92

2N5668RLRA 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.83
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:25 V
最大漏极电流 (ID):0.02 AFET 技术:JUNCTION
最大反馈电容 (Crss):3 pF最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:N-CHANNEL最小功率增益 (Gp):16 dB
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON

2N5668RLRA 数据手册

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