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2N5660E3

更新时间： 2024-02-11 07:18:54

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美高森美 - MICROSEMI		局域网晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	59K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin,

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技术参数
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2N5660E3 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	200 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-213AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

2N5660E3 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 454

Devices

Qualified Level

JAN, JANTX

JANTXV

2N5660

2N5661

2N5662

2N5663

MAXIMUM RATINGS

Ratings

2N5660 2N5661

2N5662 2N5663

Symbol

Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

200

250

300

400

Vdc

Adc

V_CEO

V_CBO

V_CER

V_EBO

I_B

6.0

0.5

2.0

TO-66*

(TO-213AA)

2N5660, 2N5661

Collector Current

I_C

2N5660 2N5662

2N5661 2N5663

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C

@ T_C= +100⁰C

2.0⁽¹⁾

20⁽³⁾

1.0⁽²⁾

15⁽⁴⁾

⁰C

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

T_J_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

2N5660

2N5661

2N5662

2N5663

Characteristics

Symbol

Unit

TO-5*

2N5662, 2N5663

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Junction-to-Ambient

qJC

⁰C/W

5.0

87.5

6.67

145.8

qJA

1) Derate linearly 11.4 mW/⁰C for T_A>+ 25⁰C

2) Derate linearly 5.7 mW/⁰C for T_A> +25⁰C

3) Derate linearly 200 mW/⁰C for T_C> +100⁰C

4) Derate linearly 150 mW/⁰C for T_C> +100⁰C

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 10 mAdc

200

300

Vdc

2N5660, 2N5662

2N5661, 2N5663

V_(BR)

CEO

Collector-Base Breakdown Voltage

250

400

Vdc

I_C= 10 mAdc, R_BE= 100W

2N5660, 2N5662

2N5661, 2N5663

V_(BR)

CER

Emitter-Base Breakdown Voltage

I_E= 10 mAdc

6.0

V_(BR)

EBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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