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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2N5191G
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2N5191G

更新时间： 2024-11-28 12:52:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
6页 90K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N5191G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-225AA包装说明：ROHS COMPLIANT, CASE 77-09, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：2 weeks风险等级：0.85
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
JEDEC-95代码：TO-225AAJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：40 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：2 MHz
Base Number Matches：1

2N5191G 数据手册

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2N5190, 2N5191, 2N5192  
Silicon NPN Power  
Transistors  
Silicon NPN power transistors are for use in power amplifier and  
switching circuits, — excellent safe area limits. Complement to PNP  
2N5194, 2N5195.  
http://onsemi.com  
Features  
• ESD Ratings: Machine Model, C; > 400 V  
Human Body Model, 3B; > 8000 V  
4.0 AMPERES  
NPN SILICON  
POWER TRANSISTORS  
40, 60, 80 VOLTS − 40 WATTS  
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in.  
• Pb−Free Packages are Available*  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
TO−225AA  
CASE 77  
STYLE 1  
Collector−Emitter Voltage  
2N5190  
2N5191  
2N5192  
V
V
V
40  
60  
80  
Vdc  
CEO  
CBO  
EBO  
Collector−Base Voltage  
2N5190  
2N5191  
2N5192  
40  
60  
80  
Vdc  
3
2
1
Emitter−Base Voltage  
Collector Current  
Base Current  
5.0  
4.0  
1.0  
Vdc  
Adc  
Adc  
MARKING DIAGRAM  
I
C
I
B
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
P
D
40  
320  
W
mW/°C  
C
YWW  
2
Derate above 25°C  
N519xG  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Y
WW  
=
=
Year  
Work Week  
Symbol  
Max  
Unit  
2N519x = Device Code  
x = 0, 1, or 2  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
R
3.12  
°C/W  
q
JC  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
G
= Pb−Free Package  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
2N5190  
TO−225AA  
500 Units/Box  
500 Units/Box  
2N5190G  
TO−225AA  
(Pb−Free)  
2N5191  
TO−225AA  
500 Units/Box  
500 Units/Box  
2N5191G  
TO−225AA  
(Pb−Free)  
2N5192  
TO−225AA  
500 Units/Box  
500 Units/Box  
2N5192G  
TO−225AA  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
March, 2006 − Rev. 12  
2N5191/D  
123456

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2N5191G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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