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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.75 | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 2 MHz |
| VCEsat-Max： | 1.4 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5191RPBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
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| 2N5192 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
MEDIUM POWER NPN SILICON TRANSISTORS |
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| 2N5192 | ONSEMI |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS SILICON NPN |
|
| 2N5192 | CENTRAL |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE POWER |
|
| 2N5192 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N5192 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5192 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5192 | NJSEMI |
获取价格 |
TO-220 |
|
| 2N5192G | ONSEMI |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N5192LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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