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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.87 | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 2 MHz |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5194/D | ETC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N5194_06 | ONSEMI |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N5194G | ONSEMI |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N5194LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| 2N5194PBFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, |
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| 2N5194TIN/LEAD | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
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| 2N5195 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N5195 | NJSEMI |
获取价格 |
SI PNP POWER BJT |
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| 2N5195 | STMICROELECTRONICS |
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MEDIUM POWER PNP SILICON TRANSISTOR |
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| 2N5195 | ONSEMI |
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Silicon PNP Power Transistors(4 AMPERE) |
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