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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2N5191
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2N5191

更新时间： 2024-09-16 22:45:03
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安森美 - ONSEMI 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
8页 105K
描述
POWER TRANSISTORS SILICON NPN

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2N5191 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-225AA包装说明：CASE 77-09, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：7.14最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：25JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：40 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：2 MHz
VCEsat-Max：0.6 VBase Number Matches：1

2N5191 数据手册

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ON Semiconductor)  
2N5191  
Silicon NPN Power Transistors  
*
2N5192  
*ON Semiconductor Preferred Device  
. . . for use in power amplifier and switching circuits, — excellent  
safe area limits. Complement to PNP 2N5194, 2N5195.  
4 AMPERE  
POWER TRANSISTORS  
SILICON NPN  
60–80 VOLTS  
40 WATTS  
*MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
2N5191  
60  
2N5192  
80  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
V
CEO  
V
60  
80  
CB  
EB  
V
5.0  
4.0  
1.0  
I
C
Base Current  
I
B
Total Power Dissipation @ T = 25_C  
P
40  
320  
Watts  
mW/_C  
_C  
C
D
STYLE 1:  
Derate above 25_C  
PIN 1. EMITTER  
2. COLLECTOR  
3. BASE  
3
2
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–65 to +150  
1
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
CASE 77–09  
TO–225AA TYPE  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
θ
3.12  
_C  
JC  
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25_C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)  
V
Vdc  
CEO(sus)  
(I = 0.1 Adc, I = 0)  
2N5191  
2N5192  
60  
80  
—
—
C
B
Collector Cutoff Current  
I
mAdc  
mAdc  
CEO  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 60 Vdc, I = 0)  
2N5191  
2N5192  
—
—
1.0  
1.0  
B
= 80 Vdc, I = 0)  
B
Collector Cutoff Current  
I
CEX  
(V  
CE  
(V  
CE  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 60 Vdc, V  
= 80 Vdc, V  
= 60 Vdc, V  
= 80 Vdc, V  
= 1.5 Vdc)  
= 1.5 Vdc)  
2N5191  
2N5192  
2N5191  
2N5192  
—
—
—
—
0.1  
0.1  
2.0  
2.0  
EB(off)  
EB(off)  
EB(off)  
EB(off)  
= 1.5 Vdc, T = 125_C)  
C
C
= 1.5 Vdc, T = 125_C)  
Collector Cutoff Current  
I
mAdc  
mAdc  
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= 60 Vdc, I = 0)  
2N5191  
2N5192  
—
—
0.1  
0.1  
E
= 80 Vdc, I = 0)  
E
Emitter Cutoff Current  
(V = 5.0 Vdc, I = 0)  
I
—
1.0  
EBO  
BE  
C
(1) Pulse Test: Pulse Width v 300 µs, Duty Cycle v 2.0%.  
*Indicates JEDEC Registered Data.  
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002  
1
Publication Order Number:  
April, 2002 – Rev. 10  
2N5191/D  
12345678

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2N5191 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BD681G ONSEMI

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 Plastic Medium−Power Silicon NPN Darlingtons
BDX33BG ONSEMI

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 Darlington Complementary Silicon Power Transistors
BD681 STMICROELECTRONICS

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 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N5191/D ETC

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 		Silicon NPN Power Transistors
2N5191_00 STMICROELECTRONICS

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 		MEDIUM POWER NPN SILICON TRANSISTORS
2N5191_07 STMICROELECTRONICS

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 		NPN power transistors
2N5191G ONSEMI

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 		Silicon NPN Power Transistors
2N5191LEADFREE CENTRAL

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 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
2N5191PBFREE CENTRAL

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