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| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.61 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5094 | ETC |
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HIGH ENERCY NPN TRANSISTOR |
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| 2N5094A | SSDI |
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HIGH VOLTAGE SILICON DIFFUSED PNP TRANSISTORS |
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| 2N5095 | NJSEMI |
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NPN TO-39/TO-5 |
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| 2N5095 | SSDI |
获取价格 |
1 AMP HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR 500-600 VOLTS |
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| 2N5095 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
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| 2N5096 | NJSEMI |
获取价格 |
SI PNP POWER BJT |
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| 2N5096 | SEME-LAB |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE PNP TRANSISTOR |
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| 2N5096A | SSDI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SILICON DIFFUSED PNP TRANSISTORS |
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| 2N5096E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 500V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, |
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| 2N5097 | SSDI |
获取价格 |
1 AMP HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR 500-600 VOLTS |
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