5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.61 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5096E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 500V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, |
|
| 2N5097 | SSDI |
获取价格 |
1 AMP HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR 500-600 VOLTS |
|
| 2N5097 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 |
|
| 2N5097 | NJSEMI |
获取价格 |
NPN TO-39/TO-5 |
|
| 2N5097 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 600V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, TO-5, |
|
| 2N5097S | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 |
|
| 2N5098 | NJSEMI |
获取价格 |
NPN TO-39/TO-5 |
|
| 2N5098 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, Metal, 3 |
|
| 2N5099 | NJSEMI |
获取价格 |
NPN TO-39/TO-5 |
|
| 2N5099 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device |
|
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
