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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.42 | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 500 V | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | TO-5 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | PNP | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5097 | SSDI |
获取价格 |
1 AMP HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR 500-600 VOLTS |
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| 2N5097 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 |
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| 2N5097 | NJSEMI |
获取价格 |
NPN TO-39/TO-5 |
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| 2N5097 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 600V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, TO-5, |
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| 2N5097S | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 |
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| 2N5098 | NJSEMI |
获取价格 |
NPN TO-39/TO-5 |
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| 2N5098 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, Metal, 3 |
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| 2N5099 | NJSEMI |
获取价格 |
NPN TO-39/TO-5 |
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| 2N5099 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device |
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| 2N5099 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 800V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, TO-5, |
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