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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | TO-5, 3 PIN |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.26 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| JEDEC-95代码： | TO-5 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5097S | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 |
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| 2N5098 | NJSEMI |
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NPN TO-39/TO-5 |
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| 2N5098 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, Metal, 3 |
|
| 2N5099 | NJSEMI |
获取价格 |
NPN TO-39/TO-5 |
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| 2N5099 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device |
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| 2N5099 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 800V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, TO-5, |
|
| 2N-50F | APITECH |
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Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max, ROHS COMPLIANT PACKAGE |
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| 2N50G-TF3-T | UTC |
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2A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2N50G-TN3-R | UTC |
获取价格 |
2A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 2N50K-TA | UTC |
获取价格 |
N-CH |
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