是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | BCY |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.2 | Is Samacsys: | N |
最大集电极电流 (IC): | 1 A | 集电极-发射极最大电压: | 400 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 15 |
JEDEC-95代码: | TO-205AD | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 50 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N5096 | NJSEMI |
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SI PNP POWER BJT | |
2N5096 | SEME-LAB |
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HIGH VOLTAGE PNP TRANSISTOR | |
2N5096A | SSDI |
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HIGH VOLTAGE SILICON DIFFUSED PNP TRANSISTORS | |
2N5096E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 500V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, | |
2N5097 | SSDI |
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1 AMP HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR 500-600 VOLTS | |
2N5097 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 | |
2N5097 | NJSEMI |
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NPN TO-39/TO-5 | |
2N5097 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 600V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, TO-5, | |
2N5097S | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 | |
2N5098 | NJSEMI |
获取价格 |
NPN TO-39/TO-5 |