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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5096 | NJSEMI |
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SI PNP POWER BJT |
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| 2N5096 | SEME-LAB |
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HIGH VOLTAGE PNP TRANSISTOR |
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| 2N5096A | SSDI |
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HIGH VOLTAGE SILICON DIFFUSED PNP TRANSISTORS |
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| 2N5096E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 500V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, |
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| 2N5097 | SSDI |
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1 AMP HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR 500-600 VOLTS |
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| 2N5097 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 |
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| 2N5097 | NJSEMI |
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NPN TO-39/TO-5 |
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| 2N5097 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 600V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, TO-5, |
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| 2N5097S | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 |
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| 2N5098 | NJSEMI |
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NPN TO-39/TO-5 |
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