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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3026 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3 |
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| 2N3026E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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| 2N3027 | MICROSEMI |
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SCRs 0.5 Amp, Planear |
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| 2N3027 | NJSEMI |
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SILICON PNPN PASSIVATED PLANAR CONTROLLED SWITCH |
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| 2N3027 | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 1.3A I(T)RMS, 500mA I(T), 30V V(DRM), 30V V(RRM), 1 Element, |
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| 2N3027E3 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 0.785A I(T)RMS, 30V V(DRM), 30V V(RRM), 1 Element, TO-18 |
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| 2N3028 | MICROSEMI |
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SCRs 0.5 Amp, Planear |
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| 2N3028 | NJSEMI |
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Thyristor SCR 60V 8A 3-Pin TO-18 |
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| 2N3028A | NJSEMI |
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Thyristor SCR 60V 8A 3-Pin TO-18 |
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| 2N3028E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 0.785A I(T)RMS, 60V V(DRM), 60V V(RRM), 1 Element, TO-18 |
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