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2N303

更新时间: 2024-02-15 00:43:49
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 57K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 10V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-22VAR

2N303 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最大集电极电流 (IC):0.2 A配置:Single
最高工作温度:85 °C极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.15 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO标称过渡频率 (fT):14 MHz
Base Number Matches:1

2N303 数据手册

  
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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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2N3030E3 MICROSEMI Silicon Controlled Rectifier, 0.785A I(T)RMS, 30V V(DRM), 30V V(RRM), 1 Element, TO-18

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2N3031 SSDI Silicon Controlled Rectifier, 1.3A I(T)RMS, 500mA I(T), 60V V(DRM), 60V V(RRM), 1 Element,

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2N3031 MICROSEMI SCRs 0.5 Amp, Planear

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2N3032 MICROSEMI SCRs 0.5 Amp, Planear

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