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| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N3031 | MICROSEMI |
功能相似  |
SCRs 0.5 Amp, Planear |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3032 | MICROSEMI |
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SCRs 0.5 Amp, Planear |
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| 2N3032 | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 1A I(T)RMS, 500mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, |
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| 2N3032E3 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 0.785A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-18 |
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| 2N3033 | NJSEMI |
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N-P-N EPITAXIAL MESA SILICON TRANSISTORS |
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| 2N3034 | NJSEMI |
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N-P-N EPITAXIAL MESA SILICON TRANSISTORS |
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| 2N3035 | NJSEMI |
获取价格 |
N-P-N EPITAXIAL MESA SILICON TRANSISTORS |
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| 2N3036 | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39 |
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| 2N3036 | NJSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor |
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| 2N3036 | ONSEMI |
获取价格 |
1200mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5, TO-5, 3 PIN |
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| 2N3036 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
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