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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.73 |
| 标称电路换相断开时间： | 0.7 µs | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 10 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 0.2 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 0.8 V | 最大维持电流： | 5 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-18 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 0.785 A | 重复峰值关态漏电流最大值： | 0.1 µA |
| 断态重复峰值电压： | 100 V | 重复峰值反向电压： | 100 V |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3029B | NJSEMI |
获取价格 |
Thyristor SCR 100V 8A 3-Pin TO-18 |
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| 2N3029E3 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 0.785A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-18 |
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| 2N303 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 10V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-22VAR |
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| 2N3030 | SSDI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1.3A I(T)RMS, 500mA I(T), 30V V(DRM), 30V V(RRM), 1 Element, |
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| 2N3030 | MICROSEMI |
获取价格 |
SCRs 0.5 Amp, Planear |
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| 2N3030E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 0.785A I(T)RMS, 30V V(DRM), 30V V(RRM), 1 Element, TO-18 |
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| 2N3031 | SSDI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1.3A I(T)RMS, 500mA I(T), 60V V(DRM), 60V V(RRM), 1 Element, |
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| 2N3031 | MICROSEMI |
获取价格 |
SCRs 0.5 Amp, Planear |
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| 2N3032 | MICROSEMI |
获取价格 |
SCRs 0.5 Amp, Planear |
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| 2N3032 | SSDI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1A I(T)RMS, 500mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, |
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