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2N3036

更新时间: 2024-09-16 20:27:19
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 336K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39

2N3036 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.37Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):1.2 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):15
JEDEC-95代码:TO-39JESD-30 代码:O-MBCY-W3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.8 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):50 MHz
最大关闭时间(toff):1200 ns最大开启时间(吨):180 ns
Base Number Matches:1

2N3036 数据手册

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