5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DLCC |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.35 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 12 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JESD-30 代码： | R-CDSO-N3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 400 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3012LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18 |
|
| 2N3013 | NJSEMI |
获取价格 |
N-P-N EPITAXIAL MESA SILICON TRANSISTORS |
|
| 2N3013 | CENTRAL |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTORS |
|
| 2N3013LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, |
|
| 2N3014 | CENTRAL |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTORS |
|
| 2N3014 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 20V 3-Pin TO-18 Box |
|
| 2N3014LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, |
|
| 2N3015 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
|
| 2N3015LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PI |
|
| 2N3016 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2.5A I(C) | TO-52VAR |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
