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| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.6 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 3.3 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3018 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-210AC |
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| 2N3019 | STMICROELECTRONICS |
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HIGH CURRENT, HIGH FREQUENCY AMPLIFIERS |
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| 2N3019 | SEME-LAB |
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NPN SILICON TRANSISTOR |
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| 2N3019 | SEMICOA |
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Type 2N3019 Geometry 4500 Polarity NPN |
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| 2N3019 | INFINEON |
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NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR |
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| 2N3019 | BOCA |
获取价格 |
GENERAL TRANSISTOR NPN SILICON |
|
| 2N3019 | MICRO-ELECTRONICS |
获取价格 |
NPN SILICON AF MEDIUM POWER AMPLIFIERS & SWITCHES |
|
| 2N3019 | CDIL |
获取价格 |
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
|
| 2N3019 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
|
| 2N3019 | MICROSEMI |
获取价格 |
LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR |
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