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2N3019

更新时间： 2024-01-05 12:02:51

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SEME-LAB		晶体晶体管开关
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2页	21K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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2N3019 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.88	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JEDEC-95代码：	TO-39
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

2N3019 数据手册

2N3019

NPN SILICON TRANSISTOR

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

8.89 (0.35)

9.40 (0.37)

7.75 (0.305)

8.51 (0.335)

FEATURES

4.19 (0.165)

4.95 (0.195)

• NPN High Voltage Planar Transistor

• Hermetic TO39 Package

0.89

(0.035)

max.

12.70

(0.500)

min.

• Full Screening Options Available

7.75 (0.305)

8.51 (0.335)

dia.

5.08 (0.200)

typ.

2.54

(0.100)

0.66 (0.026)

1.14 (0.045)

0.71 (0.028)

0.86 (0.034)

45˚

TO39 PACKAGE

Underside View

Pin 1 = Emitter

Pin 2 = Base Pin 3 = Collector

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

case

Collector – Base Voltage

Collector – Emitter Voltage

Emitter – Base Voltage

Collector Current

140V

80V

CBO

CEO

EBO

Total Device Dissipation @ T_A= 25°C

Derate above 25°C

0.8W

4.6mW / °C

Total Device Dissipation @ T_C= 25°C

Derate above 25°C

28.6mW / °C

200°C

Max Junction Temperature

Storage Temperature

–55 to 200°C

16.5°C / W

89.5°C / W

stg

Thermal Resistance Junction to Case

Thermal Resistance Junction to Ambient

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

Prelim.6/99

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