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2N3019TIN/LEAD

更新时间： 2024-01-21 14:00:34
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 499K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,

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2N3019TIN/LEAD 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.88最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JEDEC-95代码：TO-39
JESD-30 代码：O-MBCY-W3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：200 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：5 W子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

2N3019TIN/LEAD 数据手册

 浏览型号2N3019TIN/LEAD的Datasheet PDF文件第2页 
2N3019  
2N3020  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
NPN SILICON TRANSISTOR  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3019, 2N3020  
types are NPN silicon transistors designed for general  
purpose amplifier applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-39 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
V
V
V
140  
80  
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
7.0  
I
1.0  
A
C
P
0.8  
W
W
°C  
D
D
Power Dissipation (T =25°C)  
P
5.0  
C
Operating and Storage Junction Temperature  
T , T  
-65 to +200  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
2N3019  
2N3020  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
-
MAX  
10  
MIN  
-
MAX  
10  
UNITS  
nA  
I
I
I
V
V
V
=90V  
CBO  
CBO  
EBO  
CB  
CB  
EB  
=90V, T =150°C  
-
-
10  
10  
-
-
-
10  
10  
-
μA  
nA  
V
A
=5.0V  
BV  
BV  
BV  
I =100μA  
140  
80  
7.0  
-
140  
80  
7.0  
-
CBO  
CEO  
EBO  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
I =30mA  
-
-
V
C
I =100μA  
-
-
V
E
V
V
V
I =150mA, I =15mA  
0.2  
0.5  
1.1  
-
0.2  
0.5  
1.1  
100  
120  
120  
-
V
C
B
I =500mA, I =50mA  
-
-
V
C
B
I =150mA, I =15mA  
-
-
V
C
B
h
h
h
h
h
h
V
=10V, I =100μA  
50  
90  
100  
40  
50  
15  
100  
-
30  
40  
40  
-
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
EB  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=10V, I =10mA  
-
FE  
C
=10V, I =150mA  
300  
-
FE  
C
=10V, I =150mA, T =-55°C  
FE  
C
A
=10V, I =500mA  
-
30  
15  
100  
-
100  
-
FE  
C
=10V, I =1.0A  
-
FE  
C
f
=10V, I =50mA, f=20MHz  
-
-
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
12  
60  
400  
12  
60  
400  
ob  
ib  
E
C
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
-
-
pF  
C
r ’C  
=10V, I =10mA, f=4.0MHz  
-
-
ps  
b
c
C
NF  
=10V, I =100μA, f=1.0kHz,  
C
R =1.0kΩ  
-
4.0  
-
-
dB  
S
R1 (11-June 2012)  
12

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