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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.73 | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 12 pF | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JEDEC-95代码： | TO-39 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 0.8 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 5 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N3020LEADFREE | CENTRAL | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO |
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| 2N3020PBFREE | CENTRAL | Small Signal Bipolar Transistor, |
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| 2N3021 | MICROSEMI | Transistor |
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| 2N3021E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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| 2N3022 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 45V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin |
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| 2N3022E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 45V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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