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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.35 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A |
| 基于收集器的最大容量： | 5 pF | 集电极-发射极最大电压： | 15 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 |
| JEDEC-95代码： | TO-18 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 0.36 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 350 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 25 ns | 最大开启时间（吨）： | 15 ns |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3013LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, |
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| 2N3014 | CENTRAL |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTORS |
|
| 2N3014 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 20V 3-Pin TO-18 Box |
|
| 2N3014LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, |
|
| 2N3015 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
|
| 2N3015LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PI |
|
| 2N3016 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2.5A I(C) | TO-52VAR |
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| 2N3017 | NJSEMI |
获取价格 |
20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A |
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| 2N3017 | ASI |
获取价格 |
Transistor |
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| 2N3018 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-210AC |
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