是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-39 |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.21.00.75 | 风险等级: | 5.08 |
最大集电极电流 (IC): | 0.6 A | 集电极-发射极最大电压: | 40 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 30 |
JEDEC-95代码: | TO-39 | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 200 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | PNP | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 200 MHz |
最大关闭时间(toff): | 180 ns | 最大开启时间(吨): | 45 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
JANS2N2905 | MICROSEMI |
功能相似 |
PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR | |
JANTXV2N2905 | MICROSEMI |
功能相似 |
PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N2906 | CENTRAL |
获取价格 |
PNP SILICON TRANSISTOR | |
2N2906 | NJSEMI |
获取价格 |
20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A | |
2N2906 | NXP |
获取价格 |
PNP switching transistors | |
2N2906 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1.8W PNP GENERAL PURPOSE SAMLL SIGNAL TRANSISTORS | |
2N2906 | INFINEON |
获取价格 |
PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS | |
2N2906 | MICRO-ELECTRONICS |
获取价格 |
PNP SILICON GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS AND SWITCHES | |
2N2906 | SEMICOA |
获取价格 |
Chip Type 2C2904A Geometry 0600 Polarity PNP | |
2N2906 | RAYTHEON |
获取价格 |
Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches | |
2N2906 | COMSET |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS TRANSISTORS | |
2N2906 | SEME-LAB |
获取价格 |
SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR |