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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.59 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 300 ns | 最大开启时间（吨）： | 70 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2N2906AL | MICROSEMI |
功能相似  |
PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTXV2N2906A | MICROSEMI |
功能相似 |
PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2906A_02 | SEMICOA |
获取价格 |
Silicon PNP Transistor |
|
| 2N2906A_1 | MICROSEMI |
获取价格 |
RADIATION HARDENED |
|
| 2N2906ACSM | SEME-LAB |
获取价格 |
SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR |
|
| 2N2906ADCSM | SEME-LAB |
获取价格 |
Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed |
|
| 2N2906AJ.TX.V | RAYTHEON |
获取价格 |
Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches |
|
| 2N2906AL | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N2906AUA | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N2906AUAE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC |
|
| 2N2906AUB | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N2906AUB | SEMICOA |
获取价格 |
Silicon PNP Transistor |
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