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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BCY |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.03 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | JEDEC-95代码： | TO-206AA |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.8 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 300 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 45 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANS2N2906A | MICROSEMI |
完全替代  |
PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N2906AL | MICROSEMI |
完全替代 |
PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTXV2N2906A | MICROSEMI |
类似代替 |
PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2906A_02 | SEMICOA |
获取价格 |
Silicon PNP Transistor |
|
| 2N2906A_1 | MICROSEMI |
获取价格 |
RADIATION HARDENED |
|
| 2N2906ACSM | SEME-LAB |
获取价格 |
SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR |
|
| 2N2906ADCSM | SEME-LAB |
获取价格 |
Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed |
|
| 2N2906AJ.TX.V | RAYTHEON |
获取价格 |
Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches |
|
| 2N2906AL | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N2906AUA | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N2906AUAE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC |
|
| 2N2906AUB | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N2906AUB | SEMICOA |
获取价格 |
Silicon PNP Transistor |
|
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