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2N2907

更新时间: 2024-01-04 01:57:21
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ASI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 81K
描述
SILICON PNP TRANSISTOR

2N2907 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.62Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.6 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):100
JESD-30 代码:R-CDSO-N3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHzBase Number Matches:1

2N2907 数据手册

 浏览型号2N2907的Datasheet PDF文件第2页 
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The 2N2907A is Designed for  
General Purpose Amplifier and  
Switching Applications.  
MAXIMUM RATING:  
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