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2N2906AUB

更新时间： 2024-02-18 19:30:20

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SEMICOA		晶体晶体管开关
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2页	235K
描述
Silicon PNP Transistor

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2N2906AUB 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.59	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
最大关闭时间（toff）：	300 ns	最大开启时间（吨）：	70 ns
Base Number Matches：	1

2N2906AUB 数据手册

2N2906AUB

Silicon PNP Transistor

Data Sheet

Description

Applications

• General purpose

• Low power

Semicoa Semiconductors offers:

• PNP silicon transistor

• Screening and processing per MIL-PRF-19500 Appendix E

• JAN level (2N2906AUBJ)

• JANTX level (2N2906AUBJX)

• JANTXV level (2N2906AUBJV)

• JANS level (2N2906AUBJS)

• QCI to the applicable level

• 100% die visual inspection per MIL-STD-750 method

2072 for JANTXV and JANS

Features

• Radiation testing (total dose) upon request

• Hermetically sealed Cersot ceramic

• Also available in chip configuration

• Chip geometry 0600

• Reference document:

MIL-PRF-19500/291

Benefits

• Qualification Levels: JAN, JANTX,

JANTXV and JANS

• Radiation testing available

Please contact Semicoa for special configurations

www.SEMICOA.com or (714) 979-1900

Absolute Maximum Ratings

T_C= 25°C unless otherwise specified

Parameter

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Symbol

V_CEO

V_CBO

Rating

Unit

Volts

V_EBO

I_C

Collector Current, Continuous

600

Power Dissipation, T_A= 25^OC

0.5

mW/°C

°C/W

P_T

Derate linearly above 37.5 ^OC

3.08

Thermal Resistance

325

R_θJA

T_J

°C

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

-65 to +200

T_STG

Semicoa Semiconductors, Inc.

Rev. K

333 McCormick Avenue, Costa Mesa, California 92626 714.979.1900, FAX 714.557.4541

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www.SEMICOA.com

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