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2N2906A

更新时间： 2024-01-24 03:50:43

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SEMICOA		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
1页	32K
描述
Chip Type 2C2904A Geometry 0600 Polarity PNP

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2N2906A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.59	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
最大关闭时间（toff）：	300 ns	最大开启时间（吨）：	70 ns
Base Number Matches：	1

2N2906A 数据手册

Data Sheet No. 2C2904A

Ge ne ric Pa c ka ge d Pa rts :

2N2904A

Chip Type 2C2904A

Geometry 0600

Polarity PNP

Chip type 2C2904A by Semicoa

Semiconductors provides perfor-

mance similar to these devices.

Product Summary:

APPLICATIONS: Designed for gen-

eral purpose switching and amplifier

applications.

Part Numbers:

2N2904A, 2N2904, 2N2906A, 2N2906,

2N2904AUB, SD2904A, SD2904AF, SQ2904A,

SQ2904AF, 2N3485, 2N3485A

Features:

Mechanical Specifications

Top

Al - 18 kÅ min.

Au - 6.5 kÅ nom.

4.0 mils x 4.0 mils

Metallization

Backside

Emitter

Base

Bonding Pad Size

8 mils nominal

Die Thickness

Chip Area

20 mils x 20 mils

Silox Passivated

Top Surface

Electrical Characteristics

T_A= 25^oC

Parameter

BV_CEO

Test conditions

Min

Max

---

Unit

V dc

I_C= 10.0 mA, I_B= 0

I_C= 10 µA, I_E= 0

I_E= 10 µA, I_C= 0

V_CB= 50 V, I_E= 0

BV_CBO

BV_EBO

I_CBO

---

5.0

---

h_FE

I_C= 150 mA dc, V_CE= 10 V

120

---

Due to limitations of probe testing, only dc parameters are tested. This must be done with pulse width less

than 300 µs, duty cycle less than 2%.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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