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2N2221ALEADFREE PDF预览

2N2221ALEADFREE

更新时间： 2024-02-10 22:38:06
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 536K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, TO-18, 3 PIN

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2N2221ALEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：BCY
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.04
最大集电极电流 (IC)：0.8 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：25
JEDEC-95代码：TO-18JESD-30 代码：O-MBCY-W3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHz最大关闭时间（toff）：285 ns
最大开启时间（吨）：35 nsBase Number Matches：1

2N2221ALEADFREE 数据手册

 浏览型号2N2221ALEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
2N2221A  
2N2222A  
www.centralsemi.com  
SILICON  
NPN TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N2221A and  
2N2222A are silicon NPN epitaxial planar transistors  
designed for small signal, general purpose switching  
applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-18 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
V
V
V
75  
40  
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
6.0  
I
800  
mA  
mW  
W
C
P
500  
D
D
Power Dissipation (T =25°C)  
P
1.8  
C
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-65 to +200  
350  
°C  
J
stg  
Θ
°C/W  
°C/W  
JA  
JC  
Thermal Resistance  
Θ
97  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
I
I
V
V
V
V
=60V  
10  
nA  
CBO  
CBO  
CEV  
EBO  
CB  
CB  
CE  
EB  
=60V, T =150°C  
10  
10  
10  
μA  
nA  
nA  
V
A
=60V, V =3.0V  
EB  
=3.0V  
BV  
BV  
BV  
I =10μA  
75  
40  
CBO  
C
I =10mA  
V
CEO  
C
I =10μA  
6.0  
V
EBO  
E
V
V
V
V
I =150mA, I =15mA  
0.3  
1.0  
1.2  
2.0  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
C
B
I =500mA, I =50mA  
V
C
B
I =150mA, I =15mA  
0.6  
V
C
B
I =500mA, I =50mA  
V
C
B
2N2221A  
MIN MAX  
2N2222A  
MIN MAX  
h
h
h
h
h
h
h
V
=10V, I =0.1mA  
20  
25  
35  
15  
40  
20  
25  
-
35  
-
FE  
FE  
FE  
FE  
FE  
FE  
FE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
V
V
=10V, I =1.0mA  
-
50  
-
C
=10V, I =10mA  
-
75  
-
C
=10V, I =10mA, T =-55°C  
-
35  
-
C
A
=10V, I =150mA  
120  
100  
50  
300  
C
=1.0V, I =150mA  
-
-
-
-
C
=10V, I =500mA  
40  
C
R5 (5-December 2013)  
12

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与2N2221ALEADFREE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N2221AUA MICROSEMI

获取价格

 		NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR
2N2221AUAE3 MICROSEMI

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CERAMIC
2N2221AUB MICROSEMI

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 		NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR
2N2221AUB TE

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 		Radiation Hardened NPN Silicon Switching Transistors
2N2221AUB/TR MICROSEMI

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2N2221AUBC MICROSEMI

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2N2221AUBCE3 MICROSEMI

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2N2221AX SEME-LAB

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 		HIGH SPEED SWITCHING BIPOLAR NPN
2N2221CSM SEME-LAB

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