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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-D7 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH SPEED SWITCHING |
| 最大集电极电流 (IC)： | 150 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最大降落时间（tf）： | 350 ns |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-PUFM-D7 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 7 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 1200 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 600 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 3.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2MBI150N-060 | FUJI |
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IGBT MODULE ( N series ) |
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| 2MBI150N-120 | FUJI |
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IGBT MODULE ( N series ) |
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| 2MBI150NB-120 | FUJI |
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IGBT MODULE ( N series ) |
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| 2MBI150NC-060 | FUJI |
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IGBT MODULE ( N series ) |
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| 2MBI150NC-120 | FUJI |
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IGBT MODULE ( N series ) |
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| 2MBI150NE-120 | FUJI |
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IGBT MODULE ( N series ) |
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| 2MBI150NT-120 | FUJI |
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IGBT module |
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| 2MBI150NT-120-01 | FUJI |
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IGBT module |
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| 2MBI150NT-120A | FUJI |
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IGBT module |
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| 2MBI150P-140 | FUJI |
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IGBT MODULE ( P-Series ) |
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