5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > IGBT> 2MBI150NC-120
2MBI150NC-120 PDF预览

2MBI150NC-120

更新时间： 2024-11-05 22:07:59
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管电动机控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 102K
描述
IGBT MODULE ( N series )

阅读下载

中文翻译

获取价格

2MBI150NC-120 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7针数：7
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.82
Is Samacsys：N其他特性：LOW SATURATION VOLTAGE
最大集电极电流 (IC)：150 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND CUR LIMITING CIRCUITJESD-30 代码：R-XUFM-X7
元件数量：2端子数量：7
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：850 ns标称接通时间 (ton)：650 ns
Base Number Matches：1

2MBI150NC-120 数据手册

 浏览型号2MBI150NC-120的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2MBI150NC-120的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2MBI150NC-120的Datasheet PDF文件第4页 
IGBT MODULE ( N series )  
n Outline Drawing  
n Features  
• Square RBSOA  
• Low Saturation Voltage  
• Less Total Power Dissipation  
• Improved FWD Characteristic  
• Minimized Internal Stray Inductance  
• Overcurrent Limiting Function (4~5 Times Rated Current)  
n Applications  
• High Power Switching  
• A.C. Motor Controls  
• D.C. Motor Controls  
• Uninterruptible Power Supply  
n Maximum Ratings and Characteristics  
n Equivalent Circuit  
• Absolute Maximum Ratings ( Tc=25°C)  
Items  
Collector-Emitter Voltage  
Gate -Emitter Voltage  
Symbols  
Ratings  
1200  
± 20  
Units  
V
V
VCES  
VGES  
Continuous  
1ms  
Continuous  
1ms  
IC  
150  
300  
150  
300  
Collector  
Current  
IC PULSE  
-IC  
-IC PULSE  
A
Max. Power Dissipation  
Operating Temperature  
Storage Temperature  
Isolation Voltage  
PC  
Tj  
Tstg  
Vis  
Mounting *1  
Terminals *1  
1100  
+150  
-40 ~ +125  
2500  
3.5  
W
°C  
°C  
V
A.C. 1min.  
Screw Torque  
Nm  
3.5  
Note: *1:Recommendable Value; 2.5 ~ 3.5 Nm (M5)  
• Electrical Characteristics ( at Tj=25°C )  
Items  
Zero Gate Voltage Collector Current  
Gate-Emitter Leackage Current  
Gate-Emitter Threshold Voltage  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Input capacitance  
Symbols  
ICES  
IGES  
VGE(th)  
VCE(sat)  
Cies  
Coes  
Cres  
tON  
tr  
tOFF  
tf  
VF  
trr  
Test Conditions  
VGE=0V VCE=1200V  
VCE=0V VGE=± 20V  
VGE=20V IC=150mA  
VGE=15V IC=150A  
VGE=0V  
VCE=10V  
f=1MHz  
VCC=600V  
IC=150A  
Min.  
Typ.  
Max.  
2.0  
30  
7.5  
3.3  
Units  
mA  
µA  
V
4.5  
V
24000  
8700  
7740  
0.65  
0.25  
0.85  
Output capacitance  
Reverse Transfer capacitance  
pF  
1.2  
0.6  
1.5  
0.5  
3.0  
350  
Turn-on Time  
Turn-off Time  
µs  
VGE=± 15V  
RG=5.6W  
IF=150A VGE=0V  
IF=150A  
0.35  
Diode Forward On-Voltage  
Reverse Recovery Time  
V
ns  
• Thermal Characteristics  
Items  
Symbols  
Rth(j-c)  
Rth(j-c)  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.11  
0.33  
Units  
IGBT  
Thermal Resistance  
Diode  
°C/W  
Rth(c-f)  
With Thermal Compound  
0.025  
1234

中文翻译

下载PDF

与2MBI150NC-120相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2MBI150NE-120 FUJI

获取价格

 		IGBT MODULE ( N series )
2MBI150NT-120 FUJI

获取价格

 		IGBT module
2MBI150NT-120-01 FUJI

获取价格

 		IGBT module
2MBI150NT-120A FUJI

获取价格

 		IGBT module
2MBI150P-140 FUJI

获取价格

 		IGBT MODULE ( P-Series )
2MBI150PC-140 FUJI

获取价格

 		IGBT MODULE ( P-Series )
2MBI150PC-140_04 FUJI

获取价格

 		IGBT Module
2MBI150S120 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C)
2MBI150S-120 FUJI

获取价格

 		IGBT MODULE ( S-Series )
2MBI150S-120_10 FUJI

获取价格

 		IGBT MODULE

与2MBI150NC-120相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证