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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7 |
| 针数： | 7 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.83 | 其他特性： | LOW SATURATION VOLTAGE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 150 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | JESD-30 代码： | R-PUFM-X7 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 7 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 1500 ns | 标称接通时间 (ton)： | 800 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2MBI150HH-120-50 | FUJI |
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HIGH SPEED IGBT MODULE 1200V / 150A / 2 in one package |
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| 2MBI150HJ-120-50 | FUJI |
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2-Pack(2 in 1) |
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| 2MBI150J060 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 150A I(C) |
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| 2MBI150J120 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C) |
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| 2MBI150J-120 | FUJI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1200V V(BR)CES |
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| 2MBI150L-060 | FUJI |
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IGBT MODULE(L series) |
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| 2MBI150L-120 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE(L series) |
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| 2MBI150LB-060 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE |
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| 2MBI150N-060 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE ( N series ) |
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| 2MBI150N-120 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE ( N series ) |
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